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Microchip推出5V工作1Mb容量和80Mbps速度串行SRAM万芳

发布时间:2020-02-14 12:04:10 阅读: 来源:静电喷涂设备厂家

Microchip推出5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度串行SRAM - 单片机/处理器 - 电子工程网

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出四款业内容量最大、速度最快的新器件,扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件还是业内首批5V工作的产品,广泛适用于汽车和工业应用。这些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了产品组合的低功耗和小型8引脚封装,成本较低,10,000片起批量供应。通过四路SPI或SQI 协议可实现高达80 Mbps的速度,为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。

该系列中的另外两个成员——23LCV512和23LCV1024——通过电池备份提供了业内无限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的选择。事实上,凭借其40 Mbps的快速双SPI(SDI)吞吐量以及低运行电流和休眠电流,这些串行NVSRAM器件可以高速工作,没有并行NVSRAM高引脚数的缺点,其功耗可媲美FRAM,且价格更为低廉。这将有利于电表、黑匣子及其他数据记录应用,这些应用需要无限耐用性或瞬时写入以及非易失性存储。

Microchip存储器产品部副总裁Randy Drwinga表示:“在设计过程的某个阶段,大多数嵌入式应用需要更大的RAM。这些最新的1 Mb SRAM使设计人员能够以比转而采用更大存储容量单片机或处理器低得多的成本弥补这一不足,而且还比并行SRAM的功耗和成本更低、引脚数更少。对于需要非易失性RAM的应用,我们还首度增加了有电池备份的两款器件,其成本明显低于任何其他类型非易失性RAM。”

Drwinga补充道:“由于并行器件的成本、电路板空间占用和功耗都较高,EEPROM市场已经完全转向串行接口,而闪存市场正在迅速进行这一过渡。我们期望SRAM跟随这一趋势,Microchip的串行SRAM产品组合恰恰为嵌入式市场提供了令人信服的选择。”

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